封装/外壳：BG-T11126K-1
封装：Tray
Moisture Level：NA
Configuration：Electrical Triggered Phase Control Thyristor
VDRM / VRRM [V]：3200.0
VDRM/ VRRM (V)：3200.0 V
Housing：Disc dia 111mm height 26mm / Ceramic
ITAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)：2180/85
rT [mΩ] (@Tvj max) max：0.2
Tvj [°C] max：125.0
ITSM：37000.0 A
VT0 [V] (@Tvj max) max：1.08
∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)：6850.0
RthJC [K/kW] (@180° el sin) max：8.5
Clamping force [kn] min max：40.0 65.0
ITAVM：2180 (180 ° el sin)
VT/IT [V/kA] (@Tvj max)：2.90/8.0
ITSM [A] (@10ms, Tvj max)：37000.0
tq [µs]：450.0
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs